Samsung M378A5244CB0-CTD 4 ГБ
Рейтинг модели, основанный на 131 отзыве: (5 звезд)

Samsung M378A5244CB0-CTD 4 ГБ отзывы владельцев

Сортировать...
Сортировать отзывы по:
Полезности Дате ↓ Оценке ↓
Показывать отзывы с оценкой:
Любой 1 2 3 4 5

Достоинства: Я взял обменять свою оперативную память на Samsung C-die, и несмотря на недорогую цену, она оказалась на высоте. Благодаря ей, моя система сразу заработала на стоковой частоте. Удалось установить частоту в 3733Мгц, и память работала стабильно. Открыл несколько браузеров, полазил по интернету и даже смотрел видео на Ютубе, но система продолжала работать без перегрузок. Правда, при попытке поднять частоту до 4000Мгц ничего не произошло, но это вполне ожидаемо. Решил остановиться на частоте 3200Мгц, и моя система стала более отзывчивой.
Недостатки: Конечно, автоматические тайминги памяти оставляют желать лучшего, но я полагаю, что при использовании более мощного процессора, другого чипсета и экспериментах с напряжением, вполне возможно достичь стабильной работы на частоте 3733Мгц или выше. Но я доволен результатом и считаю, что эта память является отличным выбором для тех, кто ищет недорогую память с хорошим потенциалом разгона.
Короче говоря, если вы хотите недорогую память с отличным потенциалом разгона, то рекомендую вам обратить внимание на Samsung C-die. Вы не пожалеете о своем выборе!

Достоинства: Цена приемлемая.
Хорошо работает до 3200 МГц.
Недостатки: Сложно поднять выше 3200 МГц.
Отсутствие упаковки, в лучшем случае - пупырка, в худшем - без упаковки.
Комментарий: Купил две планки, разогнал до 3200 на таймингах 16-18-17-28-2т. Использую на Ryzen 5 1600AF, материнская плата MSI B450M PRO-VDH MAX. Заметил, что 8Гб впритык, решил добавить ещё 2 планки. Увы, 4 планки стали давать ошибки при тех же параметрах, брали только 3133. Помогло изменение параметра ProcODT с 53.3ohm на 48. Stabilized SoC при 1.1000V, DRAMVoltage после разгона уменьшил до 1.31V. Тайминги 16-18-17-26-2т. AIDA64 находила ошибки, не замеченные memtest86+ и prime95. 3333 не получается, пробовать 3266 неохота. Возможно, в будущем попробую 3333 с нормальными таймингами. В противном случае останусь на текущей памяти и, возможно, обновлюсь в будущем.

Достоинства: Оперативная память Samsung - надежная как танк.
Цена приятно удивила - не высокая, а качество на высоте.
Возможность разгона - смог поднять частоту до 3200 сl16 без проблем.
Недостатки: Внешний вид выглядит немного "убогенько", но это дело вкуса.
Без упаковки, пришлось завернуть в лист бумаги - не самый лучший опыт распаковки.
Комментарий: Приобрел сначала 2 планки, работали без нареканий в течение года (разогнал до 3200 сl16). Через год решил докупить еще 2 - все работает стабильно. Немного подкрутил тайминги и напряжение до 1,3 для стабильной работы на 3200 сl16 (использую процессор AMD Ryzen 3 1200 и материнскую плату GIGABYTE GA-AB350M-DS3H V2). Из 4 планок одна немного отличается внешне, но это не критично, если не заморачиваться на мелочах.

Достоинства: Привлекательная цена.
Недостатки: Повышенные тайминги.
Комментарий: Использую этот модуль уже год, недавно решился на разгон. У меня материнская плата Gigabyte B450 S2H, процессор Ryzen 5 2400G. Обновил BIOS до версии F50 с последней версией AGESA 1.004 b. Разгонял с напряжением 1.35 (показывает 1.36 - 1.38 в работе). Частоту поднял до 3200, дальше не пошел из-за особенностей процессора Zen первого поколения. По таймингам удалось достичь значений 18-17-17-17-38 2Т. Вольтаж уменьшил до 1.33 (по мониторингу 1.34 - 1.35 в работе). Ниже не стал снижать. Результаты теста памяти в AIDA показали около 48 Гб/с для чтения и записи, с задержкой 73 наносекунды после разгона. До разгона было 37 Гб/с и 92 наносекунды. Хоть и не идеально, но для повседневных задач подойдет.

Достоинства: Цена - Очень доступная цена.
Разгон - Удается разогнать до 3000 Mhz.
Совместимость с более старой памятью - Можно использовать с устаревшей памятью.
Недостатки: ОЕМ - Продается без дополнительных аксессуаров.
Дизайн - Дизайн может не всем понравиться.
Комментарий: Я использую эту оперативную память с AMD Ryzen 5 2400G и MSI b350 pro-vdh. У меня четыре плашки DDR4 4Gb Samsung, две с частотой 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) и две с частотой 2666MHz (M378A5244CB0-CTD). Успешно разогнал их до 3000 Mhz, установив тайминги на 17,17,17,34 и напряжение на 1.35в. Считаю, что это отличный результат, учитывая, что у меня четыре планки и ограниченный бюджет. Оперативная память работает стабильно как в тестах AIDA 64, так и в играх.
P.s. Если вы планируете использовать эту память, установите две плашки (M378A5244CB0-CRC) на первый канал и две другие плашки (M378A5244CB0-CTD) на второй канал, иначе частота не поднимется выше 2666 Mhz.

Достоинства: Очень доступная цена.
Превосходное качество.
Впечатляющий потенциал для разгона.
Недостатки: Отсутствуют.
Комментарий: Могу с уверенностью сказать, что это отличная память. Установил две планки по 4 Гб каждая в двухканальном режиме на моей системе с процессором Athlon 220GE и материнской платой Gigabyte A320M-S2H с чипсетом 320 и прошивкой F50. Эта память без проблем работает на частоте 3200 МГц с таймингами 16-18-18-18-36 и задержкой в 73.5 наносекунды при напряжении 1.35 вольта. Есть возможность снизить тайминги до 16-17-17-17-32, но это не дает значительного улучшения производительности, так как задержка остается в пределах 73-74 наносекунд. Возможно, это связано с самим чипсетом материнской платы. В целом, если вы ищете отличное соотношение цены и качества, эта память - отличный выбор для вашей системы.

Достоинства: Цена в норме.
За такие деньги приличный разгон.
Недостатки: На данный момент не обнаружил.
Комментарий: Использую всего несколько дней, но пока доволен. Сразу разогнал до 3200 16-18-18-18-38 и 3400 18-19-19-19-40 при 1.38v. Вторичные тайминги не трогал. Система: R5 1600 AF 4000Mhz, материнская плата GIGABYTE B450M S2H. Результаты впечатляют за такие деньги.

Достоинства: Бюджетная цена
Эффективный разгон
Недостатки: Принадлежит бренду Samsung
Комментарий: Приобрел данную оперативную память по привлекательной цене. Легко разогнал до 3133MHz с параметрами 16-18-18-38, Command Rate 1, и напряжением 1.35V. Для разгона использовал материнскую плату MSI b350m PRO-VD Plus и процессор Ryzen 3 1200. Уверен, что она способна работать на еще более высоких частотах с улучшенными таймингами, но мой процессор Ryzen 3 1200, вероятно, ограничивает возможности разгона.

Достоинства: Цена - оперативная память доступна по приемлемой цене.
Разгон - удобно разгонять до 3200, 3400 или даже 3600 МГц (с правильными таймингами).
Недостатки: Нет.
Комментарий: Игнорируйте её внешний вид, я также сомневался, что она сможет разогнаться с четырьмя чипами памяти. Однако, на практике, эта оперативная память легко достигает частоты 3200 МГц, и даже можно пойти дальше - 3400 МГц или даже 3600 МГц (если настроить тайминги правильно). Остановился на частоте 3200 МГц с таймингами 18-18-18-28 и напряжением 1.3 вольта. Этого достаточно для моего процессора AMD Ryzen 5 3500.

Достоинства: Я разогнал эту оперативную память отлично! Самсунг - надежный бренд.
Недостатки: Мне выдали память с некачественным исполнением, что меня немного огорчило. Надеюсь, это не стандартная ситуация.
Комментарий: Я разогнал эту оперативную память до 3200 мегагерц, и она работает безупречно. Тайминги составляют 18-18-18-39, а вольтаж установлен на 1,35. Уверен, что можно дать ей еще больше мощности, возможно, до 3600 мегагерц, но для этого надо будет повысить вольтаж и установить радиаторы. В целом, это отличные плашки от самсунга, я взял две памяти с чипами С-die.

Показать ещё

Оставить отзыв

Комментарии временно отключены.

Оценка:

Имя:


Отзыв:


Обновлено: 12.09.2024

Характеристики

Описание и характеристики могут быть неточными, перед покупкой уточняйте их у продавца.

Общие характеристики

Тип памятиDDR4
Форм-факторDIMM 288-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет

Тайминги

CAS Latency (CL)19
RAS to CAS Delay (tRCD)19
Row Precharge Delay (tRP)19

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля4, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков1

Описание модели

Данная оперативная память является модулем DDR4 с объемом 4 ГБ. Она имеет форм-фактор DIMM 288-контактный, что позволяет легко установить ее на материнскую плату. Тактовая частота составляет 2666 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных.

Пропускная способность данной памяти составляет 21300 МБ/с, что означает, что она способна обрабатывать большое количество данных за короткое время. Она содержит 1 модуль емкостью 4 ГБ. Важно отметить, что данная память не поддерживает ECC, что означает отсутствие возможности обнаружения и исправления ошибок.

Кроме того, данная оперативная память не поддерживает XMP, буферизацию (Registered) и низкопрофильность (Low Profile). Тайминги памяти составляют CAS Latency (CL) 19, RAS to CAS Delay (tRCD) 19 и Row Precharge Delay (tRP) 19.

Модуль состоит из 4 чипов и имеет одностороннюю упаковку. Напряжение питания данной памяти составляет 1.2 В. Также стоит отметить, что она имеет 1 ранк, что означает, что она может быть использована в компьютерах с одним каналом памяти.

×