Samsung M378A2G43MX3-CTD 16 ГБ отзывы владельцев
Оставить отзыв
Комментарии временно отключены.
Обновлено: 02.07.2024
Характеристики
Описание и характеристики могут быть неточными, перед покупкой уточняйте их у продавца.
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | DIMM 288-контактный |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Пропускная способность | 21300 МБ/с |
| Объем | 1 модуль 16 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.2 В |
Описание модели
Описывая оперативную память Samsung M378A2G43MX3-CTD 16 ГБ, можно отметить следующие характеристики.
Она относится к типу памяти DDR4, который является одним из самых современных и быстрых типов памяти на сегодняшний день. Форм-фактор памяти DIMM 288-контактный, что означает, что она подходит для установки в обычные настольные компьютеры.
Тактовая частота оперативной памяти составляет 2666 МГц, что гарантирует высокую скорость передачи данных между процессором и памятью. Пропускная способность памяти составляет 21300 МБ/с, что позволяет быстро и эффективно обрабатывать большие объемы данных.
Объем оперативной памяти составляет 16 ГБ, что является достаточным для большинства современных задач. Она состоит из одного модуля, что делает ее установку и обслуживание более удобными.
Оперативная память Samsung M378A2G43MX3-CTD 16 ГБ не поддерживает ECC (Error Correcting Code), что значит, что она не способна обнаруживать и исправлять ошибки в данных. Также она не поддерживает XMP (Extreme Memory Profile), что означает отсутствие возможности устанавливать дополнительные профили для повышения производительности.
Память не является буферизованной (Registered) и низкопрофильной (Low Profile), что означает, что она не требует дополнительных настроек или модификаций для установки.
Тайминги оперативной памяти таковы: CAS Latency (CL) равна 19, RAS to CAS Delay (tRCD) равна 19, Row Precharge Delay (tRP) равна 19. Эти значения отражают задержку в доступе к памяти, и чем они меньше, тем лучше производительность памяти.
Напряжение питания оперативной памяти составляет 1.2 В, что является стандартным значением для DDR4 памяти и обеспечивает надежную работу при низком энергопотреблении.
Достоинства: не знаю даже
Недостатки: Наклейка-этикетка написано одно , а в программе тест компонентов другое написано.
Комментарий: Небольшие расхождения в маркировке, сама память завелась. Но все таки информацию надо покупателю корректную давать.
На фото видно , что во втором слоте стоит оригинал, который я искал и хотел заказать. На втором фото видно , что на самом деле находится под этикеткой. Память как бы будет в паре работать, но осадочек остался.
Достоинства: это Samsung тут все сказано, ни разу не подводила
Недостатки: не красивая )
Комментарий: попользовался около 2-х лет, нареканий нет
Достоинства: качественная память. работает хорошо
Недостатки: нет
Комментарий: рекомендую
Достоинства: недрогая, соответсвует указанным характеристикам
Недостатки: не выявилось
покупал 4 планки по 16gb, нужен был объем - остальное не интересовало.
Память работает по сей день - все отлично
Не подошла к моей материнской плате.
Достоинства: Не греется, низкие тайминги, дешевая
Недостатки: Не нашёл
Комментарий: Хорошая память от хорошего производителя. Работает более года, нареканий нет
Достоинства: Супер цена и 16 гб на борту.
Недостатки: Не обнаружил.
Комментарий: Хорошая память, со своей функцией справляется отлично.