Hynix HMA81GU6DJR8N-VKN 8 ГБ
Рейтинг модели, основанный на 1 отзыве: (1 звезда)

Hynix HMA81GU6DJR8N-VKN 8 ГБ отзывы владельцев

Сортировать...
Сортировать отзывы по:
Полезности Дате ↓ Оценке ↓
Показывать отзывы с оценкой:
Любой 1 2 3 4 5

Достоинства: Производитель отменил мою память.
Недостатки: Отмена оперативной памяти.

Оставить отзыв

Комментарии временно отключены.

Оценка:

Имя:


Отзыв:


Обновлено: 28.01.2024

Характеристики

Описание и характеристики могут быть неточными, перед покупкой уточняйте их у продавца.

Общие характеристики

Тип памятиDDR4
Форм-факторDIMM 288-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет

Тайминги

CAS Latency (CL)19
RAS to CAS Delay (tRCD)19
Row Precharge Delay (tRP)19

Дополнительно

Напряжение питания1.2 В

Описание модели

Оперативная память Hynix HMA81GU6DJR8N-VKN 8 ГБ является модулем стандарта DDR4, который обеспечивает высокую производительность и надежность. Модуль имеет форм-фактор DIMM 288-контактный, что позволяет установить его в большинство современных настольных компьютеров. Тактовая частота составляет 2666 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных и улучшает общую производительность системы. Пропускная способность составляет 21300 МБ/с, что позволяет обрабатывать большие объемы данных в кратчайшие сроки.

Модуль оперативной памяти имеет объем 8 ГБ, что обеспечивает достаточно памяти для выполнения различных задач, включая запуск и работу с множеством программ одновременно. Hynix HMA81GU6DJR8N-VKN не поддерживает ECC (ошибки-корректирующий код), что может ограничить его использование в системах, где требуется высокая надежность и стабильность.

Оперативная память поддерживает XMP (расширенный профиль памяти), что позволяет автоматически настроить оптимальные параметры работы модуля. Она не буферизована (registered) и не является низкопрофильной (low profile), поэтому ее можно установить в большинство стандартных настольных компьютеров без ограничений.

Тайминги оперативной памяти составляют CAS Latency (CL) 19, RAS to CAS Delay (tRCD) 19 и Row Precharge Delay (tRP) 19. Напряжение питания модуля составляет 1.2 В, что является стандартным значением для оперативной памяти DDR4.

В целом, оперативная память Hynix HMA81GU6DJR8N-VKN 8 ГБ представляет собой надежный и производительный модуль, который может быть использован для повышения производительности системы и обеспечения быстрой и стабильной работы приложений и программ.

×