Hynix HMA81GS6DJR8N-WM 8 ГБ
Рейтинг модели, основанный на 1 отзыве: (5 звезд)

Hynix HMA81GS6DJR8N-WM 8 ГБ отзывы владельцев

Сортировать...
Сортировать отзывы по:
Полезности Дате ↓ Оценке ↓
Показывать отзывы с оценкой:
Любой 1 2 3 4 5
Плюсы в том, что новая память работает именно так, как и должна. Заметил значительное улучшение в производительности. Раньше у меня было всего 4 гигабайта, что совсем не хватало для комфортной работы. Сейчас же все идет гораздо плавнее, никаких сбоев или зависаний. Очень радует, что вложенные деньги не пошли насмарку.
Что касается недостатков, то, честно говоря, пока я не заметил никаких проблем. Возможно, со временем что-то проявится, но пока что все идет гладко.
Новая оперативная память сделала свою работу на отлично – производительность улучшилась, ноутбук стал гораздо отзывчивее. В настоящий момент я не могу найти никаких недостатков, так что пока что это идеальный апгрейд для меня.

Оставить отзыв

Комментарии временно отключены.

Оценка:

Имя:


Отзыв:


Обновлено: 22.01.2024

Характеристики

Описание и характеристики могут быть неточными, перед покупкой уточняйте их у продавца.

Общие характеристики

Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2933 МГц
Пропускная способность23400 МБ/с
Объем1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет

Тайминги

CAS Latency (CL)21

Дополнительно

Напряжение питания1.2 В
Количество ранков1

Описание модели

Оперативная память Hynix HMA81GS6DJR8N-WM 8 ГБ - это модуль памяти DDR4 форм-фактора SODIMM с 260-контактным разъемом. Она имеет тактовую частоту 2933 МГц и пропускную способность 23400 МБ/с. Объем модуля составляет 8 ГБ. Память не поддерживает ECC и не является буферизованной или низкопрофильной. Тайминги CAS Latency (CL) равны 21. Напряжение питания составляет 1.2 В. Количество ранков равно 1.

×