GoodRAM IR-2666S464L16S/4G 4 ГБ
Рейтинг модели, основанный на 3 отзывах: (4 звезды)

GoodRAM IR-2666S464L16S/4G 4 ГБ отзывы владельцев

Сортировать...
Сортировать отзывы по:
Полезности Дате ↓ Оценке ↓
Показывать отзывы с оценкой:
Любой 1 2 3 4 5

Достоинства: Работает нормально.
Есть радиатор.
Недостатки: Оперативная память ограничена использованием только как DDR4-2133 с таймингами 15-15-15-15.
DDR4-2667 поддерживается только в режиме ЭКСТРИМ.

Достоинства: Шурино, оперативка крутая, цена адекватная.
Недостатки: Без минусов.

Достоинства: Очень стильный и красивый дизайн. Прошло уже 2 года, а она все так же безупречно функционирует. Мой ноутбук заметно ускорил свою работу после установки этой памяти. Рекомендую к приобретению.
Недостатки: Отсутствуют.

Оставить отзыв

Комментарии временно отключены.

Оценка:

Имя:


Отзыв:


Обновлено: 18.04.2024

Характеристики

Описание и характеристики могут быть неточными, перед покупкой уточняйте их у продавца.

Общие характеристики

Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет

Тайминги

CAS Latency (CL)16
RAS to CAS Delay (tRCD)18
Row Precharge Delay (tRP)18

Дополнительно

Напряжение питания1.2 В
Радиаторесть

Описание модели

GoodRAM IR-2666S464L16S/4G 4 ГБ – это оперативная память, которая используется в компьютере для хранения и обработки данных. Она относится к типу DDR4 и имеет форм-фактор SODIMM 260-контактный, что позволяет ей устанавливаться в ноутбуки и другие компактные устройства. Тактовая частота модуля составляет 2666 МГц, что обеспечивает быстродействие и позволяет ему обрабатывать данные со скоростью 21300 МБ/с.

Модуль имеет объем 4 ГБ и не поддерживает ECC, что означает, что он не имеет специальных кодов для обнаружения и исправления ошибок. Он также не является буферизованным и не имеет низкого профиля, что означает, что его высота не меньше, чем у обычных модулей.

Тайминги модуля также указаны в характеристиках. Они определяют задержки, которые происходят при доступе к модулю. В данном случае, CAS Latency (CL) равна 16, RAS to CAS Delay (tRCD) и Row Precharge Delay (tRP) равны 18.

Кроме того, напряжение питания модуля составляет 1.2 В, что является нормой для оперативной памяти. Модуль также имеет радиатор, который помогает охлаждению и увеличивает его долговечность.

В целом, GoodRAM IR-2666S464L16S/4G 4 ГБ является быстрой и надежной оперативной памятью, которая может быть использована в компьютерах и ноутбуках. Его характеристики позволяют обрабатывать данные с высокой скоростью и без ошибок.

×