Crucial Ballistix BL2K4G24C16U4B 4 ГБ 2 шт. отзывы владельцев
Оставить отзыв
Комментарии временно отключены.
Обновлено: 18.04.2024
Характеристики
Описание и характеристики могут быть неточными, перед покупкой уточняйте их у продавца.
Общие характеристики
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | DIMM 288-контактный |
| Тактовая частота | 2400 МГц |
| Пропускная способность | 19200 МБ/с |
| Объем | 2 модуля по 4 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | есть |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 16 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 16 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 16 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 39 |
Дополнительно
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Радиатор | есть |
Описание модели
Оперативная память Crucial Ballistix BL2K4G24C16U4B состоит из 2 модулей по 4 ГБ каждый, что обеспечивает общий объем памяти в 8 ГБ. Она совместима с DDR4-типом памяти и имеет форм-фактор DIMM 288-контактный, что позволяет ей быть установленной на большинство современных материнских плат.
Тактовая частота оперативной памяти составляет 2400 МГц, что определяет скорость передачи данных в памяти. Пропускная способность памяти составляет 19200 МБ/с, что указывает на ее способность быстро передавать данные между процессором и другими компонентами системы.
Оперативная память Crucial Ballistix BL2K4G24C16U4B не поддерживает ECC (ошибки-корректирующий код), что означает отсутствие механизма исправления ошибок. Однако она поддерживает XMP (Extreme Memory Profile), что позволяет устанавливать более высокие частоты и латентность для достижения лучшей производительности.
Эта память не является буферизованной (Registered) и низкопрофильной (Low Profile), что означает, что она не требует использования специальных слотов и может быть установлена в большинство стандартных компьютерных корпусов.
Тайминги памяти указывают на задержки в работе памяти и включают в себя следующие значения: CAS Latency (CL) - 16, RAS to CAS Delay (tRCD) - 16, Row Precharge Delay (tRP) - 16, Activate to Precharge Delay (tRAS) - 39. Эти значения определяют задержки в различных операциях доступа к данным и влияют на общую производительность памяти.
Напряжение питания оперативной памяти составляет 1.2 В, что является стандартным значением для DDR4-памяти. Также память оснащена радиатором, который помогает в отводе тепла и может снизить температуру памяти во время работы.
Достоинства: Прекрасно работает на частоте 3600 МГц.
Без проблем запустилась, когда установил в систему.
Легко работает и на частоте 3000 МГц.
Недостатки: Не выявлены.