AMD R744G2400S1S-UO 4 ГБ
Рейтинг модели, основанный на 17 отзывах: (3 звезды)

AMD R744G2400S1S-UO 4 ГБ отзывы владельцев

Сортировать...
Сортировать отзывы по:
Полезности Дате ↓ Оценке ↓
Показывать отзывы с оценкой:
Любой 1 2 3 4 5

Достоинства: Мне доставили данную оперативную память в срок, описанный на сайте магазина. Она работает безупречно и все заявленные характеристики соответствуют сти. Очень доволен сделанной покупкой и не испытываю никаких проблем с функционированием моего компьютера. Хочу отметить отличное соотношение цены и качества данного товара.
Недостатки: В процессе выбора оперативной памяти, особенно если вы покупаете ее в интернет-магазине, стоит обратить внимание на технические характеристики вашего устройства. Частота в ГГц - это важный параметр, который нужно учитывать перед покупкой. Если вы игнорируете этот момент, существует риск разочароваться в приобретении. В целом, то что рекомендую ориентироваться на официальные данные производителя, чтобы избежать подобных недоразумений.

Достоинства: По характеристикам и изображениям всё в порядке.
Недостатки: Тайминги на наклейке не соответствуют описанию и фотографиям.
Отсутствие упаковки, даже антистатического пакета.
Комментарий: Не рекомендую для тех, кто ценит надежность.

Достоинства: Быстрый старт, точные тайминги.
Недостатки: Получил "б/у" товар. Очевидно, кто-то уже использовал. Наклейка с штрихкодом приклеена прямо на чипы, пришлось аккуратно снимать, чтобы не повредить. Не понятно, почему экономят даже на упаковке. Лучше бы вложили в пакет, как делают китайцы. Зачем Яндекс купил у Сбера - непонятно. Кажется, что это какая-то помойка.

Достоинства: Вот, поставил в свой HP Pavilion 15-cc526ur вторую планку этой памяти. Завёлся без проблем, совместимость на уровне.
Недостатки: На данный момент не выявил никаких проблем.
Комментарий: Цена адекватная, продукт вполне годный.

Достоинства: Оперативная память активна и работает исправно.
Хорошо совместима с планкой от Samsung.
Недостатки: Первоначально купил битую память.
Комментарий: Установил эту оперативную память в HP 17-ak018ur, добавив ее к оригинальной планке от Samsung. Изначально столкнулся с проблемой - получил битую память. Однако обменяли на исправный вариант без проблем.

Достоинства: Цена приятно удивила.
Недостатки: К сожалению, память оказалась несовместимой с моими комплектующими. При этом уверен, что подбор был правильным.

Достоинства: Отсутствуют.
Недостатки: Не совместима с моим ноутбуком Ryzen 3 + DDR4 Samsung. Не заработала. Не совместима с другой памятью.
Комментарий: Опыт использования неудачен из-за несовместимости с моим ноутбуком и другой оперативной памятью.

Достоинства: Я не выявил никаких достоинств у этой оперативной памяти.
Недостатки: Я также не выявил никаких недостатков у этой оперативной памяти.
Комментарий: У меня были проблемы с новым ноутбуком ACER Aspire A315-21-6339, NX.GNVER.016. Когда я поставил этот модуль памяти, у меня постоянно происходили сбои в работе, которые приводили к синему экрану смерти. Однако, когда я удалил этот модуль памяти, мой компьютер стал работать стабильно.
Я вернул этот модуль памяти и купил модуль памяти CRUCIAL CT4G4SFS824A, который сразу заработал без проблем. Удивительно, что в обзоре этого ноутбука у человека были хорошие результаты с использованием модуля памяти MD Radeon R7 Performance Series R744G2400S1S-UO. Возможно, у меня попался бракованный модуль.
Опаковка этой оперативной памяти была просто куском пупырчатой пленки размером 20×20 см. Если вы живете рядом с магазином, то может быть стоит попробовать купить эту оперативную память, но лично я бы рекомендовал поискать другие варианты.

Достоинства: Долгое время работала без проблем.
Недостатки: Сломалась за пару дней до окончания гарантии.
Отсутствие упаковки, планка была завернута только в пупырчатую пленку.
Комментарий: Использовал её около двух лет. Всё было в порядке, но потом появились проблемы с выводом ноутбука в BDOS, так же, как и у другого пользователя здесь. Проверил с помощью memtest, обнаружил много ошибок. Сдал по гарантии. Прошло уже 1.5 месяца, и они всё ещё тестируют, пытаясь найти явные проблемы.

Достоинства: Проработала почти два года стабильно. Не было никаких проблем или нареканий в работе.
Недостатки: Сломалась, и это произошло всего за пару дней до истечения гарантии. Немного разочаровывающе.
При доставке память была завернута только в пупырчатую пленку, без упаковки. Это вызвало некоторые опасения относительно ее целостности.
Комментарий: На начальном этапе все было отлично. Однако, после некоторого времени, память начала вызывать сбои в работе моего ноутбука Acer Aspire A315, и это, как оказалось, было проблемой не только у меня. После запуска программы memtest было обнаружено множество ошибок.

Показать ещё

Оставить отзыв

Комментарии временно отключены.

Оценка:

Имя:


Отзыв:


Обновлено: 16.06.2024

Характеристики

Описание и характеристики могут быть неточными, перед покупкой уточняйте их у продавца.

Общие характеристики

Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2400 МГц
Пропускная способность19200 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет

Тайминги

CAS Latency (CL)17
RAS to CAS Delay (tRCD)17
Row Precharge Delay (tRP)17
Activate to Precharge Delay (tRAS)39

Дополнительно

Напряжение питания1.2 В

Описание модели

Оперативная память AMD R744G2400S1S-UO 4 ГБ представляет собой модуль DDR4 памяти с тактовой частотой 2400 МГц. Этот модуль имеет форм-фактор SODIMM 260-контактный, что делает его идеальным для использования в ноутбуках и компактных системах. Общий объем памяти составляет 4 ГБ, который обеспечивает достаточную емкость для выполнения различных операций и задач.

Оперативная память AMD R744G2400S1S-UO 4 ГБ обладает пропускной способностью 19200 МБ/с, что позволяет передавать данные с высокой скоростью и обеспечивать плавное и быстрое выполнение задач. Этот модуль памяти не поддерживает технологии ECC и XMP, не является буферизованным и низкопрофильным.

Тайминги оперативной памяти AMD R744G2400S1S-UO 4 ГБ составляют: CAS Latency (CL) 17, RAS to CAS Delay (tRCD) 17, Row Precharge Delay (tRP) 17 и Activate to Precharge Delay (tRAS) 39. Эти параметры определяют задержки и время доступа к данным в памяти, что влияет на ее производительность.

Напряжение питания оперативной памяти AMD R744G2400S1S-UO 4 ГБ составляет 1.2 В, что является стандартным значением для модулей DDR4 памяти. Это обеспечивает надежную и стабильную работу памяти, а также энергоэффективность.

×